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光谱仪用颁颁顿介绍（卓立汉光）CCD，是英文ChargeCoupledDevice即电荷耦合器件的缩写，它是在MOS晶体管电荷存储器的基础上发展起来的，突出的特点是以电荷作为信号，而不是以电流或电压作为信号的。在P型或N型硅单晶的衬底上生长一层厚度约为120~150nm的SiO2层，然后按一定次序沉积m行n列个金属电或多晶硅电作为栅，栅间隙约2.5μm，于是每个电与其下方的SiO2和半导体间构成了一个MOS结构，这种结构再加上输入、输出结构就构成了m×n位CCD（m＞1，n≥...